Design and analysis of a high-speed sense amplifier forsingle-transistor nonvolatile memory cells
Using a current-sensing scheme and novel circuit techniques, the amplifier achieves sensing speeds equal to or better than those achievable by memory arrays using two transistors per cell. Other circuit techniques were used to improve the circuit-noise immunity as well as sensitivity to critical mas...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | Amin, A.A.M. (author) |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | unknown (author) |
| التنسيق: | article |
| منشور في: |
1993
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://eprints.kfupm.edu.sa/id/eprint/14225/1/14225_1.pdf https://eprints.kfupm.edu.sa/id/eprint/14225/2/14225_2.doc |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|
مواد مشابهة
-
A novel flash erase EEPROM memory cell with reversed poly roles
حسب: Amin, A.A.M.
منشور في: (1991) -
Speed optimised array architecture for flash EEPROMs
حسب: Amin, A.A.M.
منشور في: (1993) -
"Harmonic and intermodulation performance of LDMOS transistors"
حسب: Abuelma’atti, M.T.
منشور في: (2003) -
Transistor-Level Defect-Tolerant Techniques for Reliable Design at the Nanoscale
حسب: Khan, Farhan
منشور في: (2009) -
High-speed self-timed carry-skip adder
حسب: Amin, A.
منشور في: (0000)