Supplement Number 1

Supplement Number 1

The atomic structure and band structure calculations of MoS2 and SiC, as well as the characterization details of the MoS2/SiC heterojunction.

Đã lưu trong:

Chi tiết về thư mục
Tác giả chính:	Binbin Ding (6330392) (author)
Tác giả khác:	Qian Liu (135614) (author), Yu Zhou (89766) (author), Boyi Bai (22024955) (author), Chao Han (382995) (author), Hao Yuan (502114) (author), Xiaoyan Tang (161200) (author), Qinglong Fang (3828508) (author), Yu-Ming Zhang (12862976) (author), lianbi li (22024958) (author), Qingwen Song (4910623) (author)
Được phát hành:	2025
Những chủ đề:	Physical sciences rectification ratio band alignment photovoltaic effect SiC MoS2
Các nhãn:	Thêm thẻ Không có thẻ, Là người đầu tiên thẻ bản ghi này!

Những quyển sách tương tự

Supplement Number 1
Bằng: Yuchen Han (623673)
Được phát hành: (2025)

Supplement Number 1
Bằng: Shiwei Zhang (2394778)
Được phát hành: (2025)

Supplementary Information
Bằng: Julio do Nascimento (22102208)
Được phát hành: (2025)

Supplement Number 1
Bằng: Xueqiang Yu (21626324)
Được phát hành: (2025)

Supplement Number 1
Bằng: Qunsi Yang (20827148)
Được phát hành: (2025)

Supplement Number 1
Bằng: Xiaoxiang Wu (346589)
Được phát hành: (2025)

Supplement 1
Bằng: Jiaming Feng (12861584)
Được phát hành: (2025)

Supplement Material
Bằng: Chung-Chi Yang (424896)
Được phát hành: (2025)

Supplement Number 1
Bằng: Yingjiao Zhai (9077140)
Được phát hành: (2025)

Supplemental Material
Bằng: Anoir Hamdi (10866054)
Được phát hành: (2025)

Supplementary Material
Bằng: Andreas Gottscholl (11167674)
Được phát hành: (2025)

Movie1
Bằng: Yun Huang (169805)
Được phát hành: (2025)

Movie3
Bằng: Yun Huang (169805)
Được phát hành: (2025)

Movie2
Bằng: Yun Huang (169805)
Được phát hành: (2025)

Supporting Information
Bằng: Yun Huang (169805)
Được phát hành: (2025)

<b>SEM Images of Wear Surfaces in High Porosity Al10SiMg-SiC Composite Infiltrated with Babbitt Alloy After Pin-on-Disk Dry Sliding Wear Testing</b>
Bằng: Mihail Kolev (22113343)
Được phát hành: (2025)

Supplementary Information
Bằng: Mehrdad Faraji (10925432)
Được phát hành: (2025)

Supporting information
Bằng: Lingyu Zhang (2180486)
Được phát hành: (2025)

Negative Bias Temperature Stress Induced Threshold Voltage instability and Mobility Degradation in SiC PMOS Devices
Bằng: Zijian HU (22639574)
Được phát hành: (2025)

Supplementary Material
Bằng: Chunyu Li (437902)
Được phát hành: (2025)

Supplementary Materials
Bằng: Xuan Tang (207983)
Được phát hành: (2025)

Supplementary Material
Bằng: Shang Tian (17304007)
Được phát hành: (2025)

Supplementary Information
Bằng: Yiquan Qi (626890)
Được phát hành: (2025)

Supplementary Materials
Bằng: Enora Vuillermet (21648626)
Được phát hành: (2025)

SI of "Strong Coupling of Monolayer and Bilayer MoS2 in Plasmonic Nanocavities via Scattering Spectroscopy"
Bằng: Ramzan Muhammad Faisal (22635593)
Được phát hành: (2025)

Clean revised Support information
Bằng: Yajun Zhu (838607)
Được phát hành: (2025)

Direct bonding and debonding of 2D semiconductors
Bằng: Guangyu zhang (15423510)
Được phát hành: (2025)

Supplementary file
Bằng: Tianzhu Yu (5920658)
Được phát hành: (2025)

Direct bonding and debonding of two-dimensional semiconductors
Bằng: Jieying Liu (22340971)
Được phát hành: (2025)

Clear-Supplementary Materials
Bằng: Liren Wu (9286398)
Được phát hành: (2025)

Revised Supplementary Material(Clean Version)
Bằng: Xiaowei Shentu (21543935)
Được phát hành: (2025)

Uni-Traveling-Carrier Photodiode Based on MoS<sub>2</sub>/GaN van der Waals Heterojunction for High-Speed Visible-Light Detection
Bằng: Takuya Kadowaki (22260485)
Được phát hành: (2025)

Experimental investigation on subsurface damage characteristics in ultrasonic-assisted grinding of silicon carbide
Bằng: Hongbo Li (130443)
Được phát hành: (2025)

Mechanically reliable and electronically uniform monolayer MoS2 by passivation and defect healing_Raw data
Bằng: Boran Kumral (21573686)
Được phát hành: (2025)

Supplementary file 1_Interfacial p–n coupling in Cu3N/1T-MoS2 heterojunctions drives efficient and durable acidic hydrogen evolution.docx
Bằng: Tianjiao Huang (8963216)
Được phát hành: (2025)

Data for: Subsurface Interface Structure Controlling Local Electronic Properties of Epitaxial Graphene on SiC(0001)
Bằng: Umamahesh Thupakula (22297925)
Được phát hành: (2025)

Data Sheet 1_Clinical utility of neurofilament light chain as a biomarker for disease onset and progression in hereditary transthyretin amyloidosis.pdf
Bằng: Álvaro Gragera-Martínez (22389310)
Được phát hành: (2025)

Supplement Number 1
Bằng: Hangyu Li (490857)
Được phát hành: (2025)

High short-circuit current in PTB7-Th:ITIC organic solar cells induced by pulsed laser deposited MoO<sub>3</sub> layer
Bằng: Godwin Ugwuanyi (19089905)
Được phát hành: (2025)

Critical Charge-Activated Magnetic Amplification in Ni-Doped SiC: Evidence of a Lattice-Bound Magnetic Soliton
Bằng: adam akeely (22544507)
Được phát hành: (2025)