A novel flash erase EEPROM memory cell with reversed poly roles
A novel structure for a flash EEPROM memory cell is described. The structure employs the first poly as a control gate, while the second poly is used as the floating gate. Such a reversed structure allows the floating gate to overlap both the source and drain even with a merged transistor memory cell...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | |
| التنسيق: | article |
| منشور في: |
1991
|
| الموضوعات: | |
| الوصول للمادة أونلاين: | https://eprints.kfupm.edu.sa/id/eprint/14117/1/14117_1.pdf https://eprints.kfupm.edu.sa/id/eprint/14117/2/14117_2.doc |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|