Tin-mediated phase-controlled growth of γ-InSe thin films on Si (100) via molecular beam epitaxy
<p dir="ltr">Indium selenide is a III-VI semiconductor with promising electronic and optoelectronic properties, but its polymorphism makes single phase growth difficult, hindering its use in advanced electronic and photonic devices. In this study, we introduce a novel phase-selective...
محفوظ في:
| المؤلف الرئيسي: | |
|---|---|
| مؤلفون آخرون: | , , , , , |
| منشور في: |
2025
|
| الموضوعات: | |
| الوسوم: |
إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!
|