FIG. S1. FIG. S2. FIG. S3. FIG. S4. FIG. S5. FIG. S6. FIG. S7

FIG. S1. FIG. S2. FIG. S3. FIG. S4. FIG. S5. FIG. S6. FIG. S7

Transfer curves of the fresh device in the log scale at a VDS of 28 V; photograph of the RF test system; output load lines under different RF stress scenarios; output characteristics after one month of recovery testing; derivative of the DCT curves for devices under different RF stress conditions; e...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: Linling Xu (10672396) (author)
مؤلفون آخرون: Hui Guo (110581) (author), Shuai Wang (109515) (author), Jiaofen Yang (21626345) (author), Yugang Zhou (11849664) (author), Aiqiang Cheng (21626348) (author), Kaixiang Jia (9660335) (author), Chen Ge (341691) (author), Huiqin Zhao (9366592) (author), Lin Hao (1597876) (author), Chang Han (773198) (author), Youdou Zheng (4031885) (author), Rong Zhang (44942) (author), Dunjun Chen (6785381) (author)
منشور في: 2025
الموضوعات:
Physical sciences
AlGaN/GaN HEMTs
degradation
RF stress
electro-thermal
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

مواد مشابهة