Comprehensive investigation of Er2O3 thin films grown with different ALD approaches

Comprehensive investigation of Er2O3 thin films grown with different ALD approaches

The effect of Er precursor nature (Er(CpMe)3 or Er(tmhd)3) and annealing treatment at 500–1100 °C on the structural and optical properties of Er2O3 films grown on Si substrates by thermal or O2-plasma-assisted atomic layer deposition was studied by means of spectroscopic ellipsometry, Fourier-transf...

وصف كامل

محفوظ في:
التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي: L., Khomenkova (author)
مؤلفون آخرون: Merabet, H. (author), Chauvat, M.-P. (author), Frilay, C. (author), Portier, X. (author), Labbe, C. (author), Marie, P. (author), Cardin, J. (author), Boudin, S. (author), Rueff, J.-M. (author), Gourbilleau, F. (author)
التنسيق: article
منشور في: 2022
الموضوعات:
Er2O3 thin films
Atomic layer deposition
TEM
XRD
Luminescence
Er silicate
الوصول للمادة أونلاين:http://dx.doi.org/10.1016/j.surfin.2022.102377
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2468023022006381
http://hdl.handle.net/10576/52675
الوسوم: إضافة وسم
لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

الانترنت

http://dx.doi.org/10.1016/j.surfin.2022.102377
https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2468023022006381
http://hdl.handle.net/10576/52675

مواد مشابهة