Comprehensive investigation of Er2O3 thin films grown with different ALD approaches

The effect of Er precursor nature (Er(CpMe)3 or Er(tmhd)3) and annealing treatment at 500–1100 °C on the structural and optical properties of Er2O3 films grown on Si substrates by thermal or O2-plasma-assisted atomic layer deposition was studied by means of spectroscopic ellipsometry, Fourier-transf...

وصف كامل

محفوظ في:

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي:	L., Khomenkova (author)
مؤلفون آخرون:	Merabet, H. (author), Chauvat, M.-P. (author), Frilay, C. (author), Portier, X. (author), Labbe, C. (author), Marie, P. (author), Cardin, J. (author), Boudin, S. (author), Rueff, J.-M. (author), Gourbilleau, F. (author)
التنسيق:	article
منشور في:	2022
الموضوعات:	Er2O3 thin films Atomic layer deposition TEM XRD Luminescence Er silicate
الوصول للمادة أونلاين:	http://dx.doi.org/10.1016/j.surfin.2022.102377 https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2468023022006381 http://hdl.handle.net/10576/52675
الوسوم:	إضافة وسم لا توجد وسوم, كن أول من يضع وسما على هذه التسجيلة!

كن أول من يترك تعليقا!

Comprehensive investigation of Er2O3 thin films grown with different ALD approaches

مواد مشابهة